Charge disproportionation in tetragonal La2MoO5, a small band gap semiconductor influenced by direct Mo-Mo bonding.

Colabello, Diane M; Camino, Fernando E; Huq, Ashfia; Hybertsen, Mark; Khalifah, Peter G

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Charge disproportionation in tetragonal La2MoO5, a small band gap semiconductor influenced by direct Mo-Mo bonding.

Colabello, Diane M; Camino, Fernando E; Huq, Ashfia; Hybertsen, Mark; Khalifah, Peter G.

Afiliación

Colabello DM; Department of Chemistry, Stony Brook University , New York 11794, United States.

J Am Chem Soc ; 137(3): 1245-57, 2015 Jan 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25551640

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Am Chem Soc Año: 2015 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Estados Unidos