The dramatic effect of the annealing temperature and dielectric functionalization on the electron mobility of indene-C60 bis-adduct thin films. | Chem Commun (Camb);51(25): 5414-7, 2015 Mar 28. | MEDLINE

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The dramatic effect of the annealing temperature and dielectric functionalization on the electron mobility of indene-C60 bis-adduct thin films.

Orgiu, Emanuele; Squillaci, Marco A; Rekab, Wassima; Börjesson, Karl; Liscio, Fabiola; Zhang, Lei; Samorì, Paolo.

Afiliación

Orgiu E; Nanochemistry Laboratory & icFRC, Université de Strasbourg & CNRS, 8 allée Gaspard Monge, 67000, Strasbourg, France. orgiu@unistra.fr samori@unistra.fr.

Chem Commun (Camb) ; 51(25): 5414-7, 2015 Mar 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25684628

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Chem Commun (Camb) Asunto de la revista: QUIMICA Año: 2015 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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