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Lasing characteristics of InP-based InAs quantum dots depending on InGaAsP waveguide conditions.
Jo, Byounggu; Lee, Hyunjung; Choi, Ilgyu; Kim, Jiin; Kim, Jin Soo; Han, Won Seok; Song, Jung Ho; Oh, Dae Kon; Noh, Sam Kyu; Leem, Jae-Young.
J Nanosci Nanotechnol ; 14(12): 9623-7, 2014 Dec.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25971109
Asunto(s)
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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Arsenicales / Puntos Cuánticos / Indio Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2014 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos
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