Bilayer insulator tunnel barriers for graphene-based vertical hot-electron transistors. | Nanoscale;7(30): 13096-104, 2015 Aug 14. | MEDLINE

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Bilayer insulator tunnel barriers for graphene-based vertical hot-electron transistors.

Vaziri, S; Belete, M; Dentoni Litta, E; Smith, A D; Lupina, G; Lemme, M C; Östling, M.

Afiliación

Vaziri S; KTH Royal Institute of Technology, School of Information and Communication Technology, Isafjordsgatan 22, 16440 Kista, Sweden. vaziri@kth.se.

Nanoscale ; 7(30): 13096-104, 2015 Aug 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26176739

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2015 Tipo del documento: Article País de afiliación: Suecia Pais de publicación: Reino Unido

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