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Metamorphic GaAs/GaAsBi Heterostructured Nanowires.
Ishikawa, Fumitaro; Akamatsu, Yoshihiko; Watanabe, Kentaro; Uesugi, Fumihiko; Asahina, Shunsuke; Jahn, Uwe; Shimomura, Satoshi.
Afiliación
  • Ishikawa F; Graduate School of Science and Engineering, Ehime University , 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan.
  • Akamatsu Y; Graduate School of Science and Engineering, Ehime University , 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan.
  • Watanabe K; WPI Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science , 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan.
  • Uesugi F; Transmission Electron Microscopy Station, National Institute for Materials Science , 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan.
  • Asahina S; SM Business Unit, JEOL Ltd. , 3-1-2 Musashino, Akishima, Tokyo 196-8558, Japan.
  • Jahn U; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
  • Shimomura S; Graduate School of Science and Engineering, Ehime University , 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan.
Nano Lett ; 15(11): 7265-72, 2015 Nov 11.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26501188
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2015 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón Pais de publicación: Estados Unidos
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