Dependency of tunneling magnetoresistance ratio on Pt seed-layer thickness for double MgO perpendicular magnetic tunneling junction spin-valves with a top Co<sub>2</sub>Fe<sub>6</sub>B<sub>2</sub> free layer ex-situ annealed at 400 °C. | Nanotechnology;27(48): 485203, 2016 Dec 02. | MEDLINE

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Dependency of tunneling magnetoresistance ratio on Pt seed-layer thickness for double MgO perpendicular magnetic tunneling junction spin-valves with a top Co₂Fe₆B₂ free layer ex-situ annealed at 400 °C.

Takemura, Yasutaka; Lee, Du-Yeong; Lee, Seung-Eun; Park, Jea-Gun.

Afiliación

Takemura Y; MRAM Center, Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul, 04763, Korea. Epitaxial Engineering Department, SUMCO CORPORATION, 1007-62, Chitose-shi, Hokkaido 066-0051, Japan.

Nanotechnology ; 27(48): 485203, 2016 Dec 02.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-27796272

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2016 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón Pais de publicación: Reino Unido

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