Gate-tunable strong-weak localization transition in few-layer black phosphorus.
Nanotechnology
; 29(3): 035204, 2018 Jan 19.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-29155410
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Nanotechnology
Año:
2018
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Reino Unido