Gate-tunable strong-weak localization transition in few-layer black phosphorus. | Nanotechnology;29(3): 035204, 2018 Jan 19. | MEDLINE

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Gate-tunable strong-weak localization transition in few-layer black phosphorus.

Long, Gen; Xu, Shuigang; Cai, Xiangbin; Wu, Zefei; Han, Tianyi; Lin, Jiangxiazi; Cheng, Chun; Cai, Yuan; Wang, Xinran; Wang, Ning.

Afiliación

Long G; Department of Physics and Center for Quantum Materials, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 29(3): 035204, 2018 Jan 19.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-29155410

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2018 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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