Interfacially Bound Exciton State in a Hybrid Structure of Monolayer WS<sub>2</sub> and InGaN Quantum Dots. | Nano Lett;18(9): 5640-5645, 2018 09 12. | MEDLINE

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Interfacially Bound Exciton State in a Hybrid Structure of Monolayer WS₂ and InGaN Quantum Dots.

Cheng, Guanghui; Li, Baikui; Zhao, Chunyu; Yan, Xin; Wang, Hong; Lau, Kei May; Wang, Jiannong.

Afiliación

Li B; College of Optoelectronic Engineering , Shenzhen University , Nanhai Avenue 3688 , Shenzhen , China.
Wang H; Department of Materials Science and Engineering , Southern University of Science and Technology , Shenzhen 518055 , China.

Nano Lett ; 18(9): 5640-5645, 2018 09 12.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-30139259

Palabras clave

Transition-metal dichalcogenides; interfacial state; photoluminescence; quantum dots

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2018 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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