In-memory direct processing based on nanoscale perpendicular magnetic tunnel junctions. | Nanoscale;10(45): 21225-21230, 2018 Dec 07. | MEDLINE

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In-memory direct processing based on nanoscale perpendicular magnetic tunnel junctions.

Cao, Kaihua; Cai, Wenlong; Liu, Yizheng; Li, Huisong; Wei, Jiaqi; Cui, Hushan; He, Xiaobin; Li, Junjie; Zhao, Chao; Zhao, Weisheng.

Afiliación

Cao K; Fert Beijing Institute, BDBC, and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, 100191 Beijing, P.R. China. weisheng.zhao@buaa.edu.cn.

Nanoscale ; 10(45): 21225-21230, 2018 Dec 07.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-30417186

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2018 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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