Controlled Growth of Large-Area Bilayer Tungsten Diselenides with Lateral P-N Junctions.
ACS Nano
; 13(9): 10490-10498, 2019 Sep 24.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-31424199
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
ACS Nano
Año:
2019
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Estados Unidos