Comprehensive study of high pressure annealing on the ferroelectric properties of Hf0.5Zr0.5O2 thin films.

Oh, Changyong; Tewari, Amit; Kim, Kyungkwan; Kumar, Ulayil Sajesh; Shin, Changhwan; Ahn, Minho; Jeon, Sanghun

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Comprehensive study of high pressure annealing on the ferroelectric properties of Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films.

Oh, Changyong; Tewari, Amit; Kim, Kyungkwan; Kumar, Ulayil Sajesh; Shin, Changhwan; Ahn, Minho; Jeon, Sanghun.

Afiliación

Oh C; Department of Applied Physics, Korea University, Segong 339-700, Republic of Korea.

Nanotechnology ; 30(50): 505204, 2019 Dec 13.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-31426039

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2019 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido