Piezoresistivity of InAsP Nanowires: Role of Crystal Phases and Phosphorus Atoms in Strain-Induced Channel Conductances.

Kim, In; Kim, Han Seul; Ryu, Hoon

Kim, In; Kim, Han Seul; Ryu, Hoon.

Afiliación

Kim I; National Institute of Supercomputing and Networking, Korea Institute of Science and Technology Information, Daejeon 34141, Korea. in.kim@kisti.re.kr.
Kim HS; National Institute of Supercomputing and Networking, Korea Institute of Science and Technology Information, Daejeon 34141, Korea. hanseulkim0@kisti.re.kr.
Ryu H; National Institute of Supercomputing and Networking, Korea Institute of Science and Technology Information, Daejeon 34141, Korea. elec1020@kisti.re.kr.

Molecules ; 24(18)2019 Sep 06.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-31489942

Asunto(s)

Arsenicales/química; Indio/química; Nanocables/química; Fósforo/química; Teoría Funcional de la Densidad; Conductividad Eléctrica; Tamaño de la Partícula; Propiedades de Superficie

Palabras clave

density functional theory; electronic structure simulations; indium-arsenide-phosphide (InAsP) nanowires; piezoresistivity

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Fósforo / Arsenicales / Nanocables / Indio Idioma: En Revista: Molecules Asunto de la revista: BIOLOGIA Año: 2019 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Suiza

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