A Novel GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor Featuring Vertical Gate Structure.
Micromachines (Basel)
; 10(12)2019 Dec 05.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-31817374
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Micromachines (Basel)
Año:
2019
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
China