Contact engineering of single core/shell SiC/SiO2 nanowire memory unit with high current tolerance using focused femtosecond laser irradiation.
Nanoscale
; 12(9): 5618-5626, 2020 Mar 05.
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| ID: mdl-32100779
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanoscale
Año:
2020
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Suiza