Nanowire Tunnel FET with Simultaneously Reduced Subthermionic Subthreshold Swing and Off-Current due to Negative Capacitance and Voltage Pinning Effects.

Saeidi, Ali; Rosca, Teodor; Memisevic, Elvedin; Stolichnov, Igor; Cavalieri, Matteo; Wernersson, Lars-Erik; Ionescu, Adrian M

Saeidi, Ali; Rosca, Teodor; Memisevic, Elvedin; Stolichnov, Igor; Cavalieri, Matteo; Wernersson, Lars-Erik; Ionescu, Adrian M.

Afiliación

Saeidi A; Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland.
Rosca T; Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland.
Memisevic E; Lund University, Lund, Sweden.
Stolichnov I; Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland.
Cavalieri M; Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland.
Wernersson LE; Lund University, Lund, Sweden.
Ionescu AM; Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, Switzerland.

Nano Lett ; 20(5): 3255-3262, 2020 May 13.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32293188

Palabras clave

Ferroelectric; Nanowire; Negative Capacitance; Tunnel FET; Voltage Pinning

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2020 Tipo del documento: Article País de afiliación: Suiza Pais de publicación: Estados Unidos

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