High-energy x-ray radiation effects on the exfoliated quasi-two-dimensional ß-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> nanoflake field-effect transistors. | Nanotechnology;31(34): 345206, 2020 Aug 21. | MEDLINE

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High-energy x-ray radiation effects on the exfoliated quasi-two-dimensional ß-Ga₂O₃ nanoflake field-effect transistors.

Chen, Jin-Xin; Li, Xiao-Xi; Huang, Wei; Ji, Zhi-Gang; Wu, Su-Zhen; Xiao, Zhi-Qiang; Ou, Xin; Zhang, David Wei; Lu, Hong-Liang.

Afiliación

Chen JX; State Key Laboratory of ASIC and System, Shanghai Institute of Intelligent Electronics & Systems, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, People's Republic of China.

Nanotechnology ; 31(34): 345206, 2020 Aug 21.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32396888

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2020 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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