Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon.

Duan, Jianan; Zhou, Yueguang; Dong, Bozhang; Huang, Heming; Norman, Justin C; Jung, Daehwan; Zhang, Zeyu; Wang, Cheng; Bowers, John E; Grillot, Frédéric

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon.

Duan, Jianan; Zhou, Yueguang; Dong, Bozhang; Huang, Heming; Norman, Justin C; Jung, Daehwan; Zhang, Zeyu; Wang, Cheng; Bowers, John E; Grillot, Frédéric.

Opt Lett ; 45(17): 4887-4890, 2020 Sep 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32870883

Texto completo

Añadir a Mi BVS

Imprimir

XML

PubMed Links

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Lett Año: 2020 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos