Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous <i>Long</i>-InGaN Nanowire Structures. | Nanomaterials (Basel);11(1)2020 Dec 23. | MEDLINE

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Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous Long-InGaN Nanowire Structures.

Kim, Sung-Un; Ra, Yong-Ho.

Afiliación

Kim SU; Optic & Electronic Component Material Center, Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, Jinju 52851, Korea.
Ra YH; Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 04763, Korea.

Nanomaterials (Basel) ; 11(1)2020 Dec 23.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-33374536

Palabras clave

InGaN; LED; green gap; molecular beam epitaxy; nanowire

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanomaterials (Basel) Año: 2020 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Suiza

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