Experimental study of threshold voltage shift for Si:HfO<sub>2</sub>based ferroelectric field effect transistor. | Nanotechnology;32(37)2021 Jun 24. | MEDLINE

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Experimental study of threshold voltage shift for Si:HfO₂based ferroelectric field effect transistor.

Jung, Taehwan; Shin, Changhwan.

Afiliación

Jung T; Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea.
Shin C; Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea.

Nanotechnology ; 32(37)2021 Jun 24.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-34098542

Palabras clave

charge trapping; ferroelectric; polarization switching; threshold voltage

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2021 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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