Bipolar Resistive Switching Behavior of PVP-GQD/HfOx/ITO/Graphene Hybrid Flexible Resistive Random Access Memory. | Molecules;26(22)2021 Nov 09. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Bipolar Resistive Switching Behavior of PVP-GQD/HfOx/ITO/Graphene Hybrid Flexible Resistive Random Access Memory.

Kim, Jin Mo; Hwang, Sung Won.

Afiliación

Kim JM; Micro LED Research Center, Korea Photonics Technology Institute, Gwangju 61007, Korea.
Hwang SW; Department of System Semiconductor Engineering, Sangmyung University, Cheonan 31066, Korea.

Molecules ; 26(22)2021 Nov 09.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-34833850

Palabras clave

GQD; HfOx; RRAM; memristive devices; resistive switching

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Clinical_trials Idioma: En Revista: Molecules Asunto de la revista: BIOLOGIA Año: 2021 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Suiza

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Clinical_trials Idioma: En Revista: Molecules Asunto de la revista: BIOLOGIA Año: 2021 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Suiza