Design, Synthesis, and Optoelectronic Properties of the High-Purity Phase in Layered AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf) Semiconductors.
Inorg Chem
; 61(17): 6650-6659, 2022 May 02.
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| ID: mdl-35442660
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Inorg Chem
Año:
2022
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Japón
Pais de publicación:
Estados Unidos