ALD Al2O3 gate dielectric on the reduction of interface trap density and the enhanced photo-electric performance of IGO TFT.
RSC Adv
; 10(17): 9902-9906, 2020 Mar 06.
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Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
RSC Adv
Año:
2020
Tipo del documento:
Article