High-κ van der Waals Oxide MoO3 as Efficient Gate Dielectric for MoS2 Field-Effect Transistors.
Materials (Basel)
; 15(17)2022 Aug 25.
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Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Materials (Basel)
Año:
2022
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
China
Pais de publicación:
Suiza