Extended Charge Layers in Metal-Oxide-Semiconductor Nanocapacitors Revealed by Operando Electron Holography.

Gatel, C; Serra, R; Gruel, K; Masseboeuf, A; Chapuis, L; Cours, R; Zhang, L; Warot-Fonrose, B; Hÿtch, M J

Gatel, C; Serra, R; Gruel, K; Masseboeuf, A; Chapuis, L; Cours, R; Zhang, L; Warot-Fonrose, B; Hÿtch, M J.

Afiliación

Gatel C; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Serra R; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Gruel K; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Masseboeuf A; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Chapuis L; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Cours R; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Zhang L; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Warot-Fonrose B; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.
Hÿtch MJ; CEMES, Université de Toulouse, CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France.

Phys Rev Lett ; 129(13): 137701, 2022 Sep 23.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-36206432

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2022 Tipo del documento: Article País de afiliación: Francia

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