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Examining Different Regimes of Ionization-Induced Damage in GaN Through Atomistic Simulations.
Sequeira, Miguel C; Djurabekova, Flyura; Nordlund, Kai; Mattei, Jean-Gabriel; Monnet, Isabelle; Grygiel, Clara; Alves, Eduardo; Lorenz, Katharina.
Afiliación
  • Sequeira MC; IBC, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, Germany.
  • Djurabekova F; IPFN, Instituto Superior Técnico, Campus Tecnológico e Nuclear, Lisbon, Portugal.
  • Nordlund K; Department of Physics, University of Helsinki, Helsinki, Finland.
  • Mattei JG; Department of Physics, University of Helsinki, Helsinki, Finland.
  • Monnet I; CIMAP, Normandie University, CEA, CNRS, UNICAEN, ENSICAEN-BP5133, Caen Cedex 5, France.
  • Grygiel C; CIMAP, Normandie University, CEA, CNRS, UNICAEN, ENSICAEN-BP5133, Caen Cedex 5, France.
  • Alves E; CIMAP, Normandie University, CEA, CNRS, UNICAEN, ENSICAEN-BP5133, Caen Cedex 5, France.
  • Lorenz K; IPFN, Instituto Superior Técnico, Campus Tecnológico e Nuclear, Lisbon, Portugal.
Small ; 18(49): e2102235, 2022 12.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-36310127
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Electrónica Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Small Asunto de la revista: ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2022 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania Pais de publicación: Alemania
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