Exciton localization by potential fluctuations at the interface of InGaAs/GaAs quantum wells. | Phys Rev B Condens Matter;53(11): 7421-7425, 1996 Mar 15. | MEDLINE

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Exciton localization by potential fluctuations at the interface of InGaAs/GaAs quantum wells.

Martelli F; Polimeni A; Patanè A; Capizzi M; Borri P; Gurioli M; Colocci M; Bosacchi A; Franchi S.

Phys Rev B Condens Matter ; 53(11): 7421-7425, 1996 Mar 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-9982190

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1996 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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