Temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time in GaAs/AlxGa1-xAs quantum-well structures. | Phys Rev B Condens Matter;44(7): 3115-3124, 1991 Aug 15. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time in GaAs/AlxGa1-xAs quantum-well structures.

Gurioli M; Vinattieri A; Colocci M; Deparis C; Massies J; Neu G; Bosacchi A; Franchi S.

Phys Rev B Condens Matter ; 44(7): 3115-3124, 1991 Aug 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-9999904

Buscar en Google

Añadir a Mi BVS

Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1991 Tipo del documento: Article

Buscar en Google

Añadir a Mi BVS

Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1991 Tipo del documento: Article