Single ZnO nanobelt based field effect transistors (FETs). | J Nanosci Nanotechnol;9(10): 5745-51, 2009 Oct. | MEDLINE

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Single ZnO nanobelt based field effect transistors (FETs).

Park, Y K; Umar, Ahmad; Lee, E W; Hong, D M; Hahn, Yoon-Bong.

Affiliation

Park YK; School of Semiconductor and Chemical Engineering, BK 21 Centre for Future Energy Materials and Devices and Nanomaterials Processing Research Centre, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 9(10): 5745-51, 2009 Oct.

Article de En | MEDLINE | ID: mdl-19908447

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Collection: 01-internacional Base de données: MEDLINE Langue: En Journal: J Nanosci Nanotechnol Année: 2009 Type de document: Article Pays d'affiliation: Corée du Sud Pays de publication: États-Unis d'Amérique

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