Effects of trimethylaluminium and tetrakis(ethylmethylamino) hafnium in the early stages of the atomic-layer-deposition of aluminum oxide and hafnium oxide on hydroxylated GaN nanoclusters.
J Mol Model
; 19(10): 4419-32, 2013 Oct.
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| ID: mdl-23918223
Texte intégral:
1
Collection:
01-internacional
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Langue:
En
Journal:
J Mol Model
Sujet du journal:
BIOLOGIA MOLECULAR
Année:
2013
Type de document:
Article
Pays d'affiliation:
États-Unis d'Amérique