High Electron Mobility in Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001) via post-growth annealing under hydrogen.

Pallecchi, E; Lafont, F; Cavaliere, V; Schopfer, F; Mailly, D; Poirier, W; Ouerghi, A

Pallecchi, E; Lafont, F; Cavaliere, V; Schopfer, F; Mailly, D; Poirier, W; Ouerghi, A.

Affiliation

Pallecchi E; Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (CNRS - LPN), Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France.
Lafont F; Laboratoire National de Métrologie et d'Essais, 29 Avenue Roger Hennequin, 78197 Trappes, France.
Cavaliere V; Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (CNRS - LPN), Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France.
Schopfer F; Laboratoire National de Métrologie et d'Essais, 29 Avenue Roger Hennequin, 78197 Trappes, France.
Mailly D; Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (CNRS - LPN), Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France.
Poirier W; Laboratoire National de Métrologie et d'Essais, 29 Avenue Roger Hennequin, 78197 Trappes, France.
Ouerghi A; Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (CNRS - LPN), Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France.

Sci Rep ; 4: 4558, 2014 Apr 02.

Article de En | MEDLINE | ID: mdl-24691055

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Texte intégral: 1 Collection: 01-internacional Base de données: MEDLINE Langue: En Journal: Sci Rep Année: 2014 Type de document: Article Pays d'affiliation: France