Optimization of Vertical Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor (VDMOS) Power Transistor Structure for Use in High Frequencies and Medical Devices. | Electron Physician;6(2): 816-9, 2014. | MEDLINE

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Optimization of Vertical Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor (VDMOS) Power Transistor Structure for Use in High Frequencies and Medical Devices.

Farhadi, Rozita; Farhadi, Bita.

Affiliation

Farhadi R; B.Sc. of Occupational Health, Public Health School, Ilam University of Medical Sciences, Ilam, Iran.
Farhadi B; M.Sc. of Electrical Engineering, Islamic Azad University South Tehran Branch, Tehran, Iran.

Electron Physician ; 6(2): 816-9, 2014.

Article de En | MEDLINE | ID: mdl-25763152

Mots clés

UIS implant; VDMOS transistor; electrocardiograph machine; high frequency; noise

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Texte intégral: 1 Collection: 01-internacional Base de données: MEDLINE Langue: En Journal: Electron Physician Année: 2014 Type de document: Article Pays d'affiliation: Iran Pays de publication: Iran

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