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Formation of n- and p-type regions in individual Si/SiO2 core/shell nanowires by ion beam doping.
Berencén, Y; Prucnal, S; Möller, W; Hübner, R; Rebohle, L; Schönherr, T; Khan, M Bilal; Wang, M; Glaser, M; Georgiev, Y M; Erbe, A; Lugstein, A; Helm, M; Zhou, S.
Affiliation
  • Berencén Y; Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstraße 400, D-01328 Dresden, Germany.
Nanotechnology ; 29(47): 474001, 2018 Nov 23.
Article de En | MEDLINE | ID: mdl-30192233
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Texte intégral: 1 Collection: 01-internacional Base de données: MEDLINE Langue: En Journal: Nanotechnology Année: 2018 Type de document: Article Pays d'affiliation: Allemagne
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