Near Bandgap Excitation Inhibits the Interfacial Electron Transfer of Semiconductor/Cocatalyst.

Xue, Jiawei; Fujitsuka, Mamoru; Majima, Tetsuro

Xue, Jiawei; Fujitsuka, Mamoru; Majima, Tetsuro.

Affiliation

Xue J; The Institute of Scientific and Industrial Research (SANKEN) , Osaka University , Mihogaoka 8-1 , Osaka , Ibaraki 567-0047 , Japan.
Fujitsuka M; The Institute of Scientific and Industrial Research (SANKEN) , Osaka University , Mihogaoka 8-1 , Osaka , Ibaraki 567-0047 , Japan.
Majima T; The Institute of Scientific and Industrial Research (SANKEN) , Osaka University , Mihogaoka 8-1 , Osaka , Ibaraki 567-0047 , Japan.

ACS Appl Mater Interfaces ; 12(5): 5920-5924, 2020 Feb 05.

Article de En | MEDLINE | ID: mdl-31913002

Mots clés

H2 evolution; above/near bandgap excitation; electron trapping; interfacial electron transfer; semiconductor/cocatalyst

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Texte intégral: 1 Collection: 01-internacional Base de données: MEDLINE Langue: En Journal: ACS Appl Mater Interfaces Sujet du journal: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Année: 2020 Type de document: Article Pays d'affiliation: Japon Pays de publication: États-Unis d'Amérique

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