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Mobility Models Based on Forward Current-Voltage Characteristics of P-type Pseudo-Vertical Diamond Schottky Barrier Diodes.
Ha, Min-Woo; Seok, Ogyun; Lee, Hojun; Lee, Hyun Ho.
Affiliation
  • Ha MW; Department of Electrical Engineering, Myongji University, 116 Myongji-ro, Cheoin-gu, Yongin, Gyeonggi 17058, Korea.
  • Seok O; Korea Electrotechnology Research Institute, Changwon, Gyeongnam 51543, Korea.
  • Lee H; Department of Electrical Engineering, Myongji University, 116 Myongji-ro, Cheoin-gu, Yongin, Gyeonggi 17058, Korea.
  • Lee HH; Department of Chemical Engineering, Myongji University, 116 Myongji-ro, Cheoin-gu, Yongin, Gyeonggi 17058, Korea.
Micromachines (Basel) ; 11(6)2020 Jun 18.
Article de En | MEDLINE | ID: mdl-32570936
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Texte intégral: 1 Collection: 01-internacional Base de données: MEDLINE Type d'étude: Prognostic_studies Langue: En Journal: Micromachines (Basel) Année: 2020 Type de document: Article Pays de publication: Suisse
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