InGaN micro-light-emitting diodes monolithically grown on Si: achieving ultra-stable operation through polarization and strain engineering.
Light Sci Appl
; 11(1): 294, 2022 Oct 10.
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| ID: mdl-36216825
Texte intégral:
1
Collection:
01-internacional
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Langue:
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Journal:
Light Sci Appl
Année:
2022
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Article
Pays d'affiliation:
États-Unis d'Amérique