Lateral Heterostructure Formed by Highly Thermally Conductive Fluorinated Graphene for Efficient Device Thermal Management.
Adv Sci (Weinh)
; 11(25): e2401586, 2024 Jul.
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de En
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| ID: mdl-38666496
Texte intégral:
1
Collection:
01-internacional
Base de données:
MEDLINE
Langue:
En
Journal:
Adv Sci (Weinh)
Année:
2024
Type de document:
Article
Pays d'affiliation:
Chine
Pays de publication:
Allemagne