Rectifying Resistive Memory Devices as Dynamic Complementary Artificial Synapses. | Front Neurosci;12: 755, 2018. | MEDLINE

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Rectifying Resistive Memory Devices as Dynamic Complementary Artificial Synapses.

Berco, Dan.

Afiliação

Berco D; School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, Singapore.

Front Neurosci ; 12: 755, 2018.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30405338

Palavras-chave

artificial neural networks; brain inspired computing; dynamic artificial synapses; memristors; rectifying synapses

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Front Neurosci Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: Singapura País de publicação: Suíça

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