Anisotropic introduction of intrinsic defects in GaAs monitored by Raman scattering.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(9): 6201-6204, 1989 Mar 15.
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em En
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| ID: mdl-9949047
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1989
Tipo de documento:
Article