Detalhe da pesquisa
1.
Impact of Nitrogen on the Selective Closure of Stacking Faults in 3C-SiC.
Cryst Growth Des
; 22(8): 4996-5003, 2022 Aug 03.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35942119
2.
Effect of Nitrogen and Aluminum Doping on 3C-SiC Heteroepitaxial Layers Grown on 4° Off-Axis Si (100).
Materials (Basel)
; 14(16)2021 Aug 06.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34442923
3.
New Approaches and Understandings in the Growth of Cubic Silicon Carbide.
Materials (Basel)
; 14(18)2021 Sep 16.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34576572
4.
Characterization of 4H- and 6H-Like Stacking Faults in Cross Section of 3C-SiC Epitaxial Layer by Room-Temperature µ-Photoluminescence and µ-Raman Analysis.
Materials (Basel)
; 13(8)2020 Apr 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32295087
5.
Temperature Investigation on 3C-SiC Homo-Epitaxy on Four-Inch Wafers.
Materials (Basel)
; 12(20)2019 Oct 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31658766
6.
Laser Annealing of P and Al Implanted 4H-SiC Epitaxial Layers.
Materials (Basel)
; 12(20)2019 Oct 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31618862
7.
3C-SiC Growth on Inverted Silicon Pyramids Patterned Substrate.
Materials (Basel)
; 12(20)2019 Oct 18.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31635213