Detalhe da pesquisa
1.
Comprehensive model toward optimization of SAG In-rich InGaN nanorods by hydride vapor phase epitaxy.
Nanotechnology
; 32(15): 155601, 2021 Apr 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33434893
2.
Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90.
Nanotechnology
; 30(4): 044001, 2019 Jan 25.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30457977
3.
Circumventing the miscibility gap in InGaN nanowires emitting from blue to red.
Nanotechnology
; 29(46): 465602, 2018 Nov 16.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30160245
4.
Self-catalyzed GaAs nanowires on silicon by hydride vapor phase epitaxy.
Nanotechnology
; 28(12): 125602, 2017 Mar 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28140362
5.
Ultralong and defect-free GaN nanowires grown by the HVPE process.
Nano Lett
; 14(2): 559-62, 2014 Feb 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24393103
6.
Record pure zincblende phase in GaAs nanowires down to 5 nm in radius.
Nano Lett
; 14(7): 3938-44, 2014 Jul 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24873917
7.
Vapor liquid solid-hydride vapor phase epitaxy (VLS-HVPE) growth of ultra-long defect-free GaAs nanowires: ab initio simulations supporting center nucleation.
J Chem Phys
; 140(19): 194706, 2014 May 21.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24852556