Detalhe da pesquisa
1.
High-performance monolayer MoS2nanosheet GAA transistor.
Nanotechnology
; 35(12)2024 Jan 04.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38061057
2.
High-Performance WSe2 Top-Gate Devices with Strong Spacer Doping.
Nano Lett
; 23(22): 10236-10242, 2023 Nov 22.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37906707
3.
Comparison of the Physical and Electrical Properties of HfO2/Al2O3/HfO2/GeOx/Ge and HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(8): 4529-4534, 2019 Aug 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30913744
4.
Enhanced Photo-excitation and Angular-Momentum Imprint of Gray Excitons in WSe2 Monolayers by Spin-Orbit-Coupled Vector Vortex Beams.
ACS Nano
; 18(17): 11425-11437, 2024 Apr 30.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38637308
5.
High-Performance Two-Dimensional Electronics with a Noncontact Remote Doping Method.
ACS Nano
; 17(13): 12208-12215, 2023 Jul 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37350684
6.
A CMOS-compatible poly-Si nanowire device with hybrid sensor/memory characteristics for System-on-Chip applications.
Sensors (Basel)
; 12(4): 3952-63, 2012.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-22666012
7.
GaN-based mini-LED matrix applied to multi-functional forward lighting.
Sci Rep
; 12(1): 6444, 2022 Apr 19.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35440679
8.
Microwave Annealing for NiSiGe Schottky Junction on SiGe P-Channel.
Materials (Basel)
; 8(11): 7519-7523, 2015 Nov 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28793654