Detalhe da pesquisa
1.
Improved power and temperature performance of half-disk diode microlasers.
Opt Lett
; 49(9): 2361-2364, 2024 May 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38691719
2.
Circumventing the ammonia-related growth suppression for obtaining regular GaN nanowires by HVPE.
Nanotechnology
; 35(26)2024 Apr 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-38522101
3.
Kinetics and mechanism of planar nanowire growth.
Proc Natl Acad Sci U S A
; 117(1): 152-160, 2020 Jan 07.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31848249
4.
Phase Diagram for Twinning Superlattice Te-Doped GaAs Nanowires.
Nano Lett
; 22(3): 1345-1349, 2022 Feb 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35089042
5.
Tapering-free monocrystalline Ge nanowires synthesized via plasma-assisted VLS using In and Sn catalysts.
Nanotechnology
; 33(40)2022 Jul 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35196259
6.
Enhancing the incorporation of Sn in vapor-liquid-solid GeSn nanowires by modulation of the droplet composition.
Nanotechnology
; 33(24)2022 Mar 25.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35263731
7.
Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch.
Nanotechnology
; 33(48)2022 Sep 08.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35952545
8.
Simultaneous Selective Area Growth of Wurtzite and Zincblende Self-Catalyzed GaAs Nanowires on Silicon.
Nano Lett
; 21(7): 3139-3145, 2021 Apr 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33818097
9.
Comprehensive model toward optimization of SAG In-rich InGaN nanorods by hydride vapor phase epitaxy.
Nanotechnology
; 32(15): 155601, 2021 Apr 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33434893
10.
Formation Mechanism of Twinning Superlattices in Doped GaAs Nanowires.
Nano Lett
; 20(5): 3344-3351, 2020 May 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32239956
11.
Phase Selection in Self-catalyzed GaAs Nanowires.
Nano Lett
; 20(3): 1669-1675, 2020 Mar 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32027145
12.
Impact of droplet composition on the nucleation rate and morphology of vapor-liquid-solid GeSn nanowires.
Nanotechnology
; 31(40): 405602, 2020 Oct 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32503017
13.
Deterministic Switching of the Growth Direction of Self-Catalyzed GaAs Nanowires.
Nano Lett
; 19(1): 82-89, 2019 01 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30537843
14.
Si Doping of Vapor-Liquid-Solid GaAs Nanowires: n-Type or p-Type?
Nano Lett
; 19(7): 4498-4504, 2019 Jul 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31203632
15.
Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90.
Nanotechnology
; 30(4): 044001, 2019 Jan 25.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30457977
16.
Nanoparticle Stability in Axial InAs-InP Nanowire Heterostructures with Atomically Sharp Interfaces.
Nano Lett
; 18(1): 167-174, 2018 01 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29186660
17.
Bistability of Contact Angle and Its Role in Achieving Quantum-Thin Self-Assisted GaAs nanowires.
Nano Lett
; 18(1): 49-57, 2018 01 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29257895
18.
Template-Assisted Scalable Nanowire Networks.
Nano Lett
; 18(4): 2666-2671, 2018 04 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29579392
19.
A simple route to synchronized nucleation of self-catalyzed GaAs nanowires on silicon for sub-Poissonian length distributions.
Nanotechnology
; 29(50): 504004, 2018 Dec 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30240362
20.
Circumventing the miscibility gap in InGaN nanowires emitting from blue to red.
Nanotechnology
; 29(46): 465602, 2018 Nov 16.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30160245