Detalhe da pesquisa
1.
Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch.
Nanotechnology
; 33(48)2022 Sep 08.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35952545
2.
Remote Doping of Scalable Nanowire Branches.
Nano Lett
; 20(5): 3577-3584, 2020 May 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32315191
3.
Questioning liquid droplet stability on nanowire tips: from theory to experiment.
Nanotechnology
; 30(28): 285604, 2019 Jul 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30916044
4.
Bistability of Contact Angle and Its Role in Achieving Quantum-Thin Self-Assisted GaAs nanowires.
Nano Lett
; 18(1): 49-57, 2018 01 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29257895
5.
Anisotropic-Strain-Induced Band Gap Engineering in Nanowire-Based Quantum Dots.
Nano Lett
; 18(4): 2393-2401, 2018 04 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29578722
6.
Template-Assisted Scalable Nanowire Networks.
Nano Lett
; 18(4): 2666-2671, 2018 04 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29579392
7.
Engineering the Size Distributions of Ordered GaAs Nanowires on Silicon.
Nano Lett
; 17(7): 4101-4108, 2017 07 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28613909
8.
Tuning growth direction of catalyst-free InAs(Sb) nanowires with indium droplets.
Nanotechnology
; 28(5): 054001, 2017 Feb 03.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28008881
9.
From Twinning to Pure Zincblende Catalyst-Free InAs(Sb) Nanowires.
Nano Lett
; 16(1): 637-43, 2016 Jan 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26686394
10.
Towards defect-free thin films of the earth-abundant absorber zinc phosphide by nanopatterning.
Nanoscale Adv
; 3(2): 326-332, 2021 Jan 26.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36131749
11.
GaAs nanoscale membranes: prospects for seamless integration of III-Vs on silicon.
Nanoscale
; 12(2): 815-824, 2020 Jan 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31830194
12.
3D Ordering at the Liquid-Solid Polar Interface of Nanowires.
Adv Mater
; 32(38): e2001030, 2020 Sep.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32762011
13.
III-V Integration on Si(100): Vertical Nanospades.
ACS Nano
; 13(5): 5833-5840, 2019 May 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31038924
14.
Optimizing the yield of A-polar GaAs nanowires to achieve defect-free zinc blende structure and enhanced optical functionality.
Nanoscale
; 10(36): 17080-17091, 2018 Sep 20.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30179246