Detalhe da pesquisa
1.
Ferroelectric domain wall memory with embedded selector realized in LiNbO3 single crystals integrated on Si wafers.
Nat Mater
; 19(11): 1188-1194, 2020 Nov.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32541933
2.
Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories.
Nat Mater
; 17(1): 49-56, 2018 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29180776
3.
Surface-plasmon mediated photoluminescence enhancement of Pt-coated ZnO nanowires by inserting an atomic-layer-deposited Al2O3 spacer layer.
Nanotechnology
; 27(16): 165705, 2016 Apr 22.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26963868
4.
In-Plane Ferroelectric Domain Wall Memory with Embedded Electrodes on LiNbO3 Thin Films.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(28): 33291-33299, 2021 Jul 21.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34242011
5.
Energy-Efficient Ferroelectric Domain Wall Memory with Controlled Domain Switching Dynamics.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(40): 44998-45004, 2020 Oct 07.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32914949
6.
Nonvolatile ferroelectric field-effect transistors.
Nat Commun
; 11(1): 2811, 2020 Jun 04.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32499502
7.
Precise preparation of WO3@SnO2 core shell nanosheets for efficient NH3 gas sensing.
J Colloid Interface Sci
; 568: 81-88, 2020 May 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32088454
8.
Improved Ferroelectric Performance of Mg-Doped LiNbO3 Films by an Ideal Atomic Layer Deposited Al2O3 Tunnel Switch Layer.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 131, 2019 Apr 16.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30993547
9.
Atomic Layer Deposition of Nickel on ZnO Nanowire Arrays for High-Performance Supercapacitors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(1): 468-476, 2018 Jan 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29211442
10.
Optical properties of epitaxial BiFeO3 thin film grown on SrRuO3-buffered SrTiO3 substrate.
Nanoscale Res Lett
; 9(1): 188, 2014.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24791162
11.
Effect of concurrent joule heat and charge trapping on RESET for NbAlO fabricated by atomic layer deposition.
Nanoscale Res Lett
; 8(1): 91, 2013 Feb 19.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23421401
12.
A resistive memory in semiconducting BiFeO3 thin-film capacitors.
Adv Mater
; 23(10): 1277-81, 2011 Mar 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21381130