Detalhe da pesquisa
1.
Preferred growth direction of III-V nanowires on differently oriented Si substrates.
Nanotechnology
; 31(47): 475708, 2020 Nov 20.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32885789
2.
Doping of Self-Catalyzed Nanowires under the Influence of Droplets.
Nano Lett
; 18(1): 81-87, 2018 01 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29206466
3.
Ten-Fold Enhancement of InAs Nanowire Photoluminescence Emission with an InP Passivation Layer.
Nano Lett
; 17(6): 3629-3633, 2017 06 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28535064
4.
Growth of Pure Zinc-Blende GaAs(P) Core-Shell Nanowires with Highly Regular Morphology.
Nano Lett
; 17(8): 4946-4950, 2017 08 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28758401
5.
Influence of Droplet Size on the Growth of Self-Catalyzed Ternary GaAsP Nanowires.
Nano Lett
; 16(2): 1237-43, 2016 Feb 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26708002
6.
Efficiency of GaInAs thermophotovoltaic cells: the effects of incident radiation, light trapping and recombinations.
Opt Express
; 23(19): A1208-19, 2015 Sep 21.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26406750
7.
Thermally-driven formation method for growing (quantum) dots on sidewalls of self-catalysed thin nanowires.
Nanoscale Horiz
; 7(3): 311-318, 2022 Feb 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35119067
8.
Low threading dislocation density and antiphase boundary free GaAs epitaxially grown on on-axis Si (001) substrates.
Nanoscale
; 14(46): 17247-17253, 2022 Dec 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36374132