Detalhe da pesquisa
1.
Highly sensitive broadband binary photoresponse in gateless epitaxial graphene on 4H-SiC.
Carbon N Y
; 1842021 Oct.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37200678
2.
Graphene Quantum Hall Effect Devices for AC and DC Electrical Metrology.
IEEE Trans Electron Devices
; 68(7)2021 Jul 01.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-36452065
3.
Development of gateless quantum Hall checkerboard p-n junction devices.
J Phys D Appl Phys
; 53(34)2020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33071355
4.
Analysing quantized resistance behaviour in graphene Corbino p-n junction devices.
J Phys D Appl Phys
; 53(27)2020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32831402
5.
Advanced Temperature-Control Chamber for Resistance Standards.
J Res Natl Inst Stand Technol
; 125: 125012, 2020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35465390
6.
Implementation of a graphene quantum Hall Kelvin bridge-on-a-chip for resistance calibrations.
Metrologia
; 57(1)2020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32127725
7.
Analytical determination of atypical quantized resistances in graphene p-n junctions.
Physica B Condens Matter
; 5822020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32863578
8.
Metrological Suitability of Functionalized Epitaxial Graphene.
IEEE Trans Instrum Meas
; 12020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33335332
9.
Superconducting Contact Geometries for Next-Generation Quantized Hall Resistance Standards.
IEEE Trans Instrum Meas
; 1.633481E62020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33335333
10.
Comparison between Graphene and GaAs Quantized Hall Devices with a Dual Probe.
IEEE Trans Instrum Meas
; 69: 9374-9380, 2020.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33335334
11.
Atypical Quantized Resistances in Millimeter-Scale Epitaxial Graphene p-n Junctions.
Carbon N Y
; 1542019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32165760
12.
Gateless and reversible carrier density tunability in epitaxial graphene devices functionalized with chromium tricarbonyl.
Carbon N Y
; 1422019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-31097837
13.
Two-Terminal and Multi-Terminal Designs for Next-Generation Quantized Hall Resistance Standards: Contact Material and Geometry.
IEEE Trans Electron Devices
; 66(9)2019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32116346
14.
Dielectric Properties of NbxW1-xSe2 Alloys.
J Res Natl Inst Stand Technol
; 124: 1-10, 2019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34877178
15.
Next-generation crossover-free quantum Hall arrays with superconducting interconnections.
Metrologia
; 56(6)2019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32116392
16.
Enhancement of Exciton-Phonon Scattering from Monolayer to Bilayer WS2.
Nano Lett
; 18(10): 6135-6143, 2018 10 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30096239
17.
Comparison of Multiple Methods for Obtaining PΩ Resistances with Low Uncertainties.
IEEE Trans Instrum Meas
; n/a2019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32116348
18.
Comparison between NIST Graphene and AIST GaAs Quantized Hall Devices.
IEEE Trans Instrum Meas
; 02019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32116347
19.
Using a Natural Ratio to Compare DC and AC Resistances.
IEEE Trans Instrum Meas
; 692019.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-33132410
20.
Examining epitaxial graphene surface conductivity and quantum Hall device stability with Parylene passivation.
Microelectron Eng
; 194: 51-55, 2018 Jul.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-29881131