1.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(4): R2269-R2272, 1995 Jul 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-9981388
2.
Phys Rev B Condens Matter
; 53(15): 9907-9912, 1996 Apr 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-9982554
3.
Phys Rev B Condens Matter
; 53(20): 13542-13546, 1996 May 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-9983100
4.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(14): 10287-10290, 1990 May 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-9993437
5.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(11): 7874-7887, 1989 Oct 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-9991216
6.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(20): 14721-14724, 1995 May 15.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-9978411
7.
Phys Rev Lett
; 87(1): 016601, 2001 Jul 02.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE
| ID: mdl-11461483
RESUMO
Injection of spin polarized electrons from a metal into a semiconductor is demonstrated for a GaAs/(In,Ga)As light emitting diode covered with Fe. The circular polarization degree of the observed electroluminescence reveals a spin injection efficiency of 2%. The underlying injection mechanism is explained in terms of a tunneling process.