Electronic properties of Si and Ge atoms doped in clusters: In(n)Si(m) and In(n)Ge(m).

Akutsu, Minoru; Koyasu, Kiichirou; Atobe, Junko; Miyajima, Ken; Mitsui, Masaaki; Nakajima, Atsushi.

Afiliação

Akutsu M; Department of Chemistry, Faculty of Science and Technology, Keio University, 3-14-1, Hiyoshi, Yokohama 223-8522, Japan.

J Phys Chem A ; 111(4): 573-7, 2007 Feb 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-17249745

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2007 Tipo de documento: Article

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