Epitaxial integration of the highly spin-polarized ferromagnetic semiconductor EuO with silicon and GaN.

Schmehl, Andreas; Vaithyanathan, Venu; Herrnberger, Alexander; Thiel, Stefan; Richter, Christoph; Liberati, Marco; Heeg, Tassilo; Röckerath, Martin; Kourkoutis, Lena Fitting; Mühlbauer, Sebastian; Böni, Peter; Muller, David A; Barash, Yuri; Schubert, Jürgen; Idzerda, Yves; Mannhart, Jochen; Schlom, Darrell G

Schmehl, Andreas; Vaithyanathan, Venu; Herrnberger, Alexander; Thiel, Stefan; Richter, Christoph; Liberati, Marco; Heeg, Tassilo; Röckerath, Martin; Kourkoutis, Lena Fitting; Mühlbauer, Sebastian; Böni, Peter; Muller, David A; Barash, Yuri; Schubert, Jürgen; Idzerda, Yves; Mannhart, Jochen; Schlom, Darrell G.

Afiliação

Schmehl A; Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802-5005, USA.

Nat Mater ; 6(11): 882-7, 2007 Nov.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-17873862

Assuntos

Európio/química; Gálio/química; Óxidos/química; Silício/química; Simulação por Computador; Cristalografia por Raios X; Nanopartículas/química; Nanotecnologia/métodos; Semicondutores

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