Hopping transport and the Hall effect near the insulator-metal transition in electrochemically gated poly(3-hexylthiophene) transistors. | Nat Commun;3: 1210, 2012. | MEDLINE

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Hopping transport and the Hall effect near the insulator-metal transition in electrochemically gated poly(3-hexylthiophene) transistors.

Wang, Shun; Ha, Mingjing; Manno, Michael; Daniel Frisbie, C; Leighton, C.

Afiliação

Wang S; Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA.

Nat Commun ; 3: 1210, 2012.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23169051

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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